大家好，今天小编来为大家解答dell服务器价格这个问题，戴尔E38S号服务器是数据库服务器吗很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！
一、DELL服务器R410戴尔服务器R410服务器配置参数
Dell服务器R410配置了多种可选的CPU，包括支持英特尔至强5500双核和四核，以及5600四核和六核处理器。最大可以安装2个处理器，采用45纳米或32纳米制程工艺，提供了双核、四核和六核的CPU核心选择。
服务器的主板芯片组选用英特尔5500，内存支持丰富，最高可达64GB，可安装16 GB的四列1066 MHz DIMM，共有8个DIMM插槽，支持多种内存规格，包括1 GB、2 GB、4 GB和8 GB的DDR3 800 MHz、1066 MHz或1333 MHz内存，且有ECC内存选项。
硬盘方面，R410支持多种容量和速度的硬盘，如3.5英寸的SATA和SAS硬盘，以及2.5英寸的SAS和SSD硬盘，最大内置存储可达4 TB2。网络方面，它配备了一系列的双端口和单端口以太网、SAS和10 GbE NIC，适应不同网络需求。
在扩展*方面，R410有1个PCIe x16（True x16 Gen2）半长插槽和一个SAS 6/iR模块卡专用插槽，支持PCI插卡。电源支持无冗余和可选冗余模式，电压范围从100伏~240伏，并且兼容不同瓦数的不间断电源。服务器还提供了热插拔功能、网络管理卡和高可用*的配置，例如热插拔硬盘机箱、TCM和嵌入式网络控制器等。
此外，R410特别适合高*能计算应用，兼容HPCC软件、Microsoft HPC Server 2008以及Red Hat Enterprise Linux 5 for HPC等计算平台。
二、戴尔E38S号服务器是数据库服务器吗
戴尔服务器R410有热插拔非热插拔和冗余电源三种，对于稳定*和效率高的企业来说不适合，如果对机架式还是塔式没什么要求，建议用塔式的，塔式可扩展*好些。购买戴尔服务器T610足够了，
双CPU服务器，支持英特尔至强5600处理器
内存DDR3最大支持96GB（12*8G）
6个硬盘插槽，支持热插拔 SAS硬盘，可做RAID6
集成双千兆网卡具有故障恢复和负载平衡功能
至于楼上说的戴尔服务器R510服务器，那个是新的双路2U机架式服务器，支持热插拔，
主要特点是硬盘有4个，8个，和12个三种型号，根据不同用户不同需要选择。
网卡是一个双端口的千兆卡
扩展插槽只有4个，内存小些只有64GB（8G*8），T610是5个插槽，并且有1个PCI-e x16的插槽（显卡插槽）
需要注意的是现在DELL大部分DDR3代内存的服务器貌似都可以选择单条16GB内存，但是估计价格不低，所以不适合中小企业使用。
不推荐使用R410，毕竟三种类型虽然多种类，但是不方面，只适合只需要其中一部分功能，需要节约资金的用户，
三、DELL存储器和服务器有什么区别
您好
最大的区别就是：服务器内存有数据校验和纠错功能，而普通内存没有。
memory是用来存储程序和数据的部件，通过使用内存，计算机才有了记忆功能。memory种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器。
主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁*介质或光盘，像硬盘,软盘,磁带,cd等能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与cpu相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是cpu与之沟通，并对其存储数据的部件，存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。
1.内存的分类
主存的分类：主存有许多不同的类别（见图4.1）。按照存储信息的功能，内存可分为ram（随机存取存储器）和rom（只读存储器）。根据信息的可修改*难易，rom也可分为mask rom，prom，flash memory等。现在计算机的发展速度相当快,主板厂商也需经常升级bios,所以用flash memory存储bios程序就成为首选, ram即是我们通常所说的内存。 ram的分类 ram主要用来存放各种输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器*信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于ram由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失，故属于易失*元件。
dram的分类：主板上使用的主要内存从以前的dram一直到fpm dram、edo dram、sdram等。 fpm dram即快速页面模式的dram。是一种改良过的dram，一般为30线或72线（simm）的内存。工作原理大致是，如果系统中想要存取的数据刚好是在同一列或是同一页（page）内，则内存控制器就不会重复的送出列，而只需指定下一个行就可以了。 edo dram即扩展数据输出dram。速度比fpm dram快15％~30％。它和fpm dram的构架和运作方式相同，只是缩短了两个数据传送周期之间等待的时间，使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送，以加快cpu数据的处理。 edo dram目前广泛应用于计算机主板上，几乎完全取代了fpm dram，工作电压一般为5v，接口方式为72线（simm），也有168线（dimm）。 bedo dram（burst edo dram），即突发式edo dram。是一种改良式edo dram。它和edo dram不同之处是edo dram一次只传输一组数据，而bedo dram则采用了"突发"方式运作，一次可以传输"一批"数据，一般bedo dram能够将edo dram的*能提高40％左右。由于sdram的出现和流行，使bedo dram的社会需求量降低。 sdram（synchronous dram）即同步dram。目前十分流行的一种内存。工作电压一般为3.3v，其接口多为168线的dimm类型。它最大的特色就是可以与cpu的外部工作时钟同步，和我们的cpu、主板使用相同的工作时钟，如果cpu的外部工作时钟是100mhz，则送至内存上的频率也是100mhz。这样一来将去掉时间上的延迟，可提高内存存取的效率。
2. dram相关知识
*基本工作原理 dram是以逻辑阵列形态的基本储存单位来保持数据的，因此在存取时必须提供一个行和一个位来确定数据的正确位置。第一步是由列信号启动，即ras（row address strobe），当此信号启动时，整列的数据都等待着被输出或输入，接着便是由行信号启动，即cas（column address strobe），当行信号启动时，便在之前已选中的该列中挑出包含所匹配的行数据的基本储存单位，并将该数据输出或输入到数据总线。
*突发模式突发模式访问不同于一般模式访问，能一次传输一批数据。第一次的内存访问通常要4－7个时钟周期，这叫做存储器的反应时间（latency）。如果读取连续的4个内存，则对第2，3，4次的内存访问就不必再次的提供，可以在1－3个时钟周期内完成，这就是突发模式访问的原理。如果总线宽度为64bit，则一次突发访问可以依次读取256bits的数据，系统的二级缓存被设计成使用256bits的宽度来适应这种访问模式，能够存储一次突发访问中读取的所有数据位。突发模式的系统定时通常表示成简写的形式：x－y－y－y。x代表第一次访问所需的时钟周期的数量，y代表进行随后的访问所需的时钟周期的数量。通常fpm的y值为3，edo的y值为2，而sdram的y值只有1。
*接口类型 simm是single－in line memory module的简写，即单边接触内存模组，其电路板上焊有数目不等的内存ic芯片，即各种dram芯片，此种内存条又分为30个金属引脚（30线）和72线。 dimm是dual in－line memory module的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的simm类型内存模组称为72线内存。 edo dram内存既有72线的，也有168线的，而sdram内存通常为168线的。
3.内存的错误更正功能（e） e（error check& correct）的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，奇偶校验为系统存储器提供了一位的错误检测能力，但是不能处理多位错误，并且也没有办法纠正错误。它用一个单独的位来为8位数据提供保护。e用7位来保护64位，它用一种特殊的算法在这7位中包含了足够的详细信息，所以能够恢复被保护数据中的一个单独位的错误，并且能检测到2，3甚至4位的错误。大多数支持e内存的主板实际上是用标准的奇偶校验内存模块来工作在e模式。因为64位的奇偶校验内存实际上是72位宽，所以有足够的位数来做e。e需要特殊的芯片组来支持，芯片组将奇偶校验位组合成e所需的7位一组。芯片组一般允许e包含一种向操作系统报告所纠正错误的方法，但是并不是所有的操作系统都支持。windows nt和linux会检测这些信息。
另外，e将会使系统略微变慢，原因是e的算法比较复杂，为了纠正一位的错误需要消耗一定的时间，通常是在每次存储器读时序中增加一个等待状态，结果是整个系统的*能约下降2－3％。但由于这种dram内存在整个系统中较稳定，所以仍被用于局域网络的文件服务器或inter服务器，其价格较贵。