大家好，今天来为大家分享dell服务器内存的一些知识点，和服务器内存条的问题的问题解析，大家要是都明白，那么可以忽略，如果不太清楚的话可以看看本篇文章，相信很大概率可以解决您的问题，接下来我们就一起来看看吧！
一、关于dell***服务器内存条的问题***请高手来回答******
1、服务器内存条与普通台式机内存条是一样的。如果同是DDR2的内存，普通台机的内存是完全可以插上服务器的。很可能是你内存条规格是错误的。是否误将DDR3内存条当作了DDR2内存条。
2、内存条数量越少，兼容*更佳。因此如果有4G一条的内存，肯定选4G一条的内存，而不是选1G 4条的内存（一则兼容*，二则成本，三则服务器电脑的内存接口也有一定限制）为什么原装的是4条1G的呢，那是因为DDR2内存条已经是很多年前的技术了，常见的DDR2内存条容量以512M-2G左右。1G一条是最为普遍。
现在想找1条4G的DDR2内存很难。
二、Dell 服务器R720的技术规格
戴尔 PowerEdge R720服务器采用英特尔E5-2600系列处理器，多达24个DIMM，*提升应用程序*能。英特尔®至强®E5-2600处理器采用32纳米处理技术构建，每个处理器提供多达4个核心，可实现计算密集型任务的超快处理。
戴尔 PowerEdge R720机架式服务器是一款配有高度可扩展的内存（最多可扩展到768 GB）。戴尔 PowerEdge R720(Xeon E5-2603/2GB/300GB)产品类别机架式产品结构 2U CPU类型 Intel至强E5-2600 CPU型号 Xeon E5-2603 CPU频率 1.8GHz标配CPU数量 1颗最大CPU数量 2颗制程工艺 32nm*缓存 10MB总线规格 QPI 6.4GT/s CPU核心四核 CPU线程数四线程主板芯片组 Intel C600扩展槽 1×全高全长PCI-E x16插槽3×半高全长PCI-E x8插槽3×半高半长PCI-E x8插槽内存类型 ECC DDR3内存容量 2GB内存插槽数量 24最大内存容量 768GB硬盘接口类型 SATA/SAS/SSD标配硬盘容量 300GB最大硬盘容量 24TB内部硬盘架数最大支持8块3.5英寸硬盘/16块2.5英寸硬盘磁盘控制器 PERC H310光驱 DVD网络控制器 Intel四端口千兆网卡/双端口万兆网卡系统管理符合IPMI 2.0标准Dell OpenManage Essentials和Dell Management ConsoleDell OpenManage Power CenterDell OpenManage Connection：适用于Microsoft System Center的Dell OpenManage Integration Suite适用于VMware vCenter的戴尔插件HP Operations Manager、IBM Tivoli Netcool和CA Network and Systems Management系统支持 Windows Server 2008 R2 SP1，x64（含Hyper-V v2）Windows Small Business Server 2011SUSE Linux Enterprise ServerRed Hat Enterprise Linux质保时间 3年质保备注 3年面向IT和关键任务的专业技术支持戴尔服务器R720技术参数处理器插槽数量2
内部互连2个英特尔QuickPath互连(QPI)链路；6.4 GT/秒；7.2 GT/秒；8.0 GT/秒
高速缓存每内核2.5 MB；内核数量选项：2、4、6、8
芯片组英特尔C600内存最高可配768 GB（24个DIMM插槽）：2 GB/4 GB/8 GB/16 GB/32 GB DDR3（最高1600 MHz） I/O插槽
7个PCIe插槽：
· 1个全长/全高x16
· 3个全长/全高x8
· 3个半长/半高x8 RAID控制器
内部控制器：
PERC S110（软件RAID）
PERC H310
PERC H710
PERC H710P
外接HBA(RAID)：
PERC H810
外接HBA（非RAID）：
6 Gbps SAS HBA驱动器托架最多8个3.5英寸驱动器，或最多16个2.5英寸驱动器
最大内部存储24 TB
硬盘1
热插拔硬盘选项：
2.5英寸PCIe固态硬盘、SAS固态硬盘、SATA固态硬盘、SAS（15K、10K）、近线SAS(7.2K)、SATA(7.2K)
3.5英寸SAS(15K)、近线SAS(7.2K)、SATA(7.2K)
提供自我加密驱动器嵌入式网卡
Broad®四端口1GbE BASE-T（无TOE或iSCSI卸载）
英特尔四端口1GbE BASE-T（无TOE或iSCSI卸载）
英特尔双端口10GbE BASE-T，带2个1GbE端口（10GbE端口支持FCoE功能）
Broad双端口10GbE SFP+，带2个1GbE端口（10GbE端口上提供TOE和iSCSI卸载）电源白金级能效的495瓦、750瓦电源或超白金级能效的1100瓦电源
自动量程电源
可用*高能效、热插拔的冗余电源；热插拔驱动器托架；TPM；双内置SD支持；热插拔冗余风扇；可选挡板；行李牌；ECC内存；
交互式液晶屏；更强的散热支持；符合能源之星®标准；更大的功率范围；独立于*机的分区(SWAP)远程管理
带生命周期控制器的iDRAC7
iDRAC7 Express（默认），iDRAC7 Enterprise（升级选项）
8 GB vFlash介质（升级选项），16 GB vFlash介质（升级选项）系统管理
符合IPMI 2.0标准
Dell OpenManage™ Essentials和戴尔管理控制台
Dell OpenManage Power Center
Dell OpenManage Connections：
· Dell OpenManage Integration Suite for Microsoft® System Center
·用于VMware® vCenter™的戴尔插件程序
· HP Operations Manager、IBM Tivoli® Netcool®和CA Network and Systems Management机架支持可选配线缆管理臂的ReadyRails™滑动式导轨，支持4柱式机架（螺纹孔机架需要选配适配器支架）操作系统
Microsoft® Windows Server® 2008 R2 SP1，x64（含Hyper-V™ v2）
Microsoft Windows® Small Business Server 2011
SUSE® Linux® Enterprise Server
Red Hat® Enterprise Linux
可选的嵌入式虚拟机管理程序：
Citrix® XenServer™
VMware vSphere™
三、DELL存储器和服务器有什么区别
您好
最大的区别就是：服务器内存有数据校验和纠错功能，而普通内存没有。
memory是用来存储程序和数据的部件，通过使用内存，计算机才有了记忆功能。memory种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器。
主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁*介质或光盘，像硬盘,软盘,磁带,cd等能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与cpu相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是cpu与之沟通，并对其存储数据的部件，存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。
1.内存的分类
主存的分类：主存有许多不同的类别（见图4.1）。按照存储信息的功能，内存可分为ram（随机存取存储器）和rom（只读存储器）。根据信息的可修改*难易，rom也可分为mask rom，prom，flash memory等。现在计算机的发展速度相当快,主板厂商也需经常升级bios,所以用flash memory存储bios程序就成为首选, ram即是我们通常所说的内存。 ram的分类 ram主要用来存放各种输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器*信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于ram由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失，故属于易失*元件。
dram的分类：主板上使用的主要内存从以前的dram一直到fpm dram、edo dram、sdram等。 fpm dram即快速页面模式的dram。是一种改良过的dram，一般为30线或72线（simm）的内存。工作原理大致是，如果系统中想要存取的数据刚好是在同一列或是同一页（page）内，则内存控制器就不会重复的送出列，而只需指定下一个行就可以了。 edo dram即扩展数据输出dram。速度比fpm dram快15％~30％。它和fpm dram的构架和运作方式相同，只是缩短了两个数据传送周期之间等待的时间，使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送，以加快cpu数据的处理。 edo dram目前广泛应用于计算机主板上，几乎完全取代了fpm dram，工作电压一般为5v，接口方式为72线（simm），也有168线（dimm）。 bedo dram（burst edo dram），即突发式edo dram。是一种改良式edo dram。它和edo dram不同之处是edo dram一次只传输一组数据，而bedo dram则采用了"突发"方式运作，一次可以传输"一批"数据，一般bedo dram能够将edo dram的*能提高40％左右。由于sdram的出现和流行，使bedo dram的社会需求量降低。 sdram（synchronous dram）即同步dram。目前十分流行的一种内存。工作电压一般为3.3v，其接口多为168线的dimm类型。它最大的特色就是可以与cpu的外部工作时钟同步，和我们的cpu、主板使用相同的工作时钟，如果cpu的外部工作时钟是100mhz，则送至内存上的频率也是100mhz。这样一来将去掉时间上的延迟，可提高内存存取的效率。
2. dram相关知识
*基本工作原理 dram是以逻辑阵列形态的基本储存单位来保持数据的，因此在存取时必须提供一个行和一个位来确定数据的正确位置。第一步是由列信号启动，即ras（row address strobe），当此信号启动时，整列的数据都等待着被输出或输入，接着便是由行信号启动，即cas（column address strobe），当行信号启动时，便在之前已选中的该列中挑出包含所匹配的行数据的基本储存单位，并将该数据输出或输入到数据总线。
*突发模式突发模式访问不同于一般模式访问，能一次传输一批数据。第一次的内存访问通常要4－7个时钟周期，这叫做存储器的反应时间（latency）。如果读取连续的4个内存，则对第2，3，4次的内存访问就不必再次的提供，可以在1－3个时钟周期内完成，这就是突发模式访问的原理。如果总线宽度为64bit，则一次突发访问可以依次读取256bits的数据，系统的二级缓存被设计成使用256bits的宽度来适应这种访问模式，能够存储一次突发访问中读取的所有数据位。突发模式的系统定时通常表示成简写的形式：x－y－y－y。x代表第一次访问所需的时钟周期的数量，y代表进行随后的访问所需的时钟周期的数量。通常fpm的y值为3，edo的y值为2，而sdram的y值只有1。
*接口类型 simm是single－in line memory module的简写，即单边接触内存模组，其电路板上焊有数目不等的内存ic芯片，即各种dram芯片，此种内存条又分为30个金属引脚（30线）和72线。 dimm是dual in－line memory module的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的simm类型内存模组称为72线内存。 edo dram内存既有72线的，也有168线的，而sdram内存通常为168线的。
3.内存的错误更正功能（e） e（error check& correct）的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，奇偶校验为系统存储器提供了一位的错误检测能力，但是不能处理多位错误，并且也没有办法纠正错误。它用一个单独的位来为8位数据提供保护。e用7位来保护64位，它用一种特殊的算法在这7位中包含了足够的详细信息，所以能够恢复被保护数据中的一个单独位的错误，并且能检测到2，3甚至4位的错误。大多数支持e内存的主板实际上是用标准的奇偶校验内存模块来工作在e模式。因为64位的奇偶校验内存实际上是72位宽，所以有足够的位数来做e。e需要特殊的芯片组来支持，芯片组将奇偶校验位组合成e所需的7位一组。芯片组一般允许e包含一种向操作系统报告所纠正错误的方法，但是并不是所有的操作系统都支持。windows nt和linux会检测这些信息。
另外，e将会使系统略微变慢，原因是e的算法比较复杂，为了纠正一位的错误需要消耗一定的时间，通常是在每次存储器读时序中增加一个等待状态，结果是整个系统的*能约下降2－3％。但由于这种dram内存在整个系统中较稳定，所以仍被用于局域网络的文件服务器或inter服务器，其价格较贵。